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半导体产业主力军华虹宏力 进击CITE2018

发布时间:2018-04-02 13:37来源:CITE组委会www.EFairCN.com字号:

加强新一代人工智能的研发应用,发展智能产业,成为中国未来的发展方向,第六届中国电子信息博览会(CITE2018)将于4月9至11日在深圳会展中心举行,全方位展示人工智能、车联网、高端芯片等多个领域的创新产品和发展趋势。华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”)也将携新品亮相现场,展现中国半导体产业主力军风采。

目前,芯片制造的技术水平和发展规模已经成为衡量一个国家产业竞争力的重要标志之一。我国的集成电路产业经过多年发展,设计、制造、封测于一体的产业架构已逐渐完善。随着智能化浪潮席卷全球,让中国半导体产业迎来高速发展时期,晶圆制造业也面临巨大的发展机遇。
 


华虹宏力始终致力于先进差异化工艺技术的持续创新,形成了广泛深入的制造工艺平台,是如今世界第一大智能卡IC制造企业,功率分立器件技术与出货量居全球8英寸纯晶圆制造企业的首位。

近年来,华虹集团坚持服从服务国家战略,胸怀大局开新局,迅速开启了大发展的新时代。前不久,总投资约100亿美元的华虹集成电路研发和制造基地项目在无锡高新区启动建设,一期工程为月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线,支持5G和物联网等新兴领域的应用。

在嵌入式非易失性存储器(eNVM)领域,华虹宏力是当之无愧的领航者。90纳米技术已在其8英寸生产线上成功量产,而这一技术节点通常在12英寸线上生产。记者了解到,华虹宏力的嵌入式非易失性存储器(eNVM)、射频、电源管理等技术及相关IP可以轻松转移及嫁接至12英寸晶圆上,将为未来的业务发展提供关键支持;专业技术平台进一步延伸到65纳米节点,可以更低的成本实现更高的性能,有望成为企业新的增长点。



此外,随着微控制器(MCU)市场的发展迅猛,华虹宏力在物联网领域打造了0.11 微米超低漏电(ULL)嵌入式闪存及eEEPROM技术平台,实现超低功耗数字模拟混合信号技术、嵌入式闪存技术与低成本射频CMOS技术的完美结合;还针对8位MCU市场推出了95纳米eNVM工艺平台,以其低功耗、高性价比独占市场鳌头。

在后摩尔时代,华虹宏力始终专注于差异化工艺研发及未来应用引领的双向驱动,包括各类电子设备,智能终端器件等,而MCU、5G、工业和汽车电子将是未来发展的重点。作为国内唯一享有汽车级eFlash工艺平台的纯晶圆制造企业,华虹宏力拥有符合汽车电子AEC-Q100 Grade-I标准的高可靠性eFlash技术,可配合EEC纠正电路,自带BIST/BISR测试;可支持AEC-Q100 Grade-I标准的汽车电子产品设计,被大量运用到安全气囊、引擎控制、信息娱乐系统、车载动力等领域。

此外,截至目前,华虹宏力的功率器件产品累计出货已超过570万片。其最新研发的第三代深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)技术平台实现推广商用,性能达到国际一流水平。通过不断研发,华虹宏力现拥有国内最全、最先进的全套IGBT背面制程加工能力,打破了国外大厂的长期垄断的格局。600V-1200V Trench FS(Field Stop, FS)IGBT技术已稳定量产,1700V以上IGBT也陆续通过了技术评价工作,进入小批量试用阶段。同时,华虹宏力正在全力研发新能源车用IGBT技术。

随着人们对绿色、节能和效率方面的需求日益增加,高能效的PMIC技术越来越受重视。华虹宏力作为全面的电源管理IC制造解决方案供应商,可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米,电压范围覆盖1.8V到700V,广泛应用于智能电表、PMIC、手机/平板电脑PMU以及快速充电(Fast Charge)等产品领域。目前,华虹宏力最新研发的0.18微米 5V/40V BCD工艺平台已成功实现单芯片产品Tapeout。据悉,华虹宏力还在开发一种high-side驱动600V BCD技术,将适用于诸如电机驱动等更广泛的应用领域。

未来,华虹宏力会继续深耕嵌入式存储器技术、功率器件、射频技术及电源管理IC解决方案,以开拓智能卡、MCU、汽车电子及5G通讯等领域。期待华虹宏力在CITE2018的精彩表现!

(编辑:www.EFairCN.com)







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